Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2021005439 - SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2021/005439
Publication Date 14.01.2021
International Application No. PCT/IB2020/055940
International Filing Date 24.06.2020
IPC
H03K 3/354 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
3Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
353by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
354Astable circuits
Applicants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 井上広樹 INOUE, Hiroki
  • 佐々木宏輔 SASAKI, Kousuke
  • 八窪裕人 YAKUBO, Yuto
  • 高橋圭 TAKAHASHI, Kei
Priority Data
2019-12587205.07.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE STOCKAGE ÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、蓄電装置および半導体装置の動作方法
Abstract
(EN)
Provided are novel oscillator, amplifier circuit, inverter circuit, amplifier circuit, battery control circuit, battery protection circuit, electrical storage device, semiconductor device, electrical equipment, and the like. This semiconductor device has a first transistor including a metal oxide and an oscillator including second to fifth transistors, wherein the first transistor is turned to an ON state, a first potential is applied to the gate of the second transistor and to the gate of the third transistor, then the first transistor is turned to an OFF state, the first potential is retained, the oscillator provides to a first circuit a first signal corresponding to the first potential, and the first circuit performs reshaping and/or amplification of the first signal. The second transistor and the fourth transistor are serially connected to each other, the third transistor and the fifth transistor are serially connected to each other, the source or the drain of the third transistor is electrically connected to the gate of the fourth transistor, and the source or the drain of the fourth transistor is electrically connected to the gate of the third transistor.
(FR)
L'invention concerne un nouvel oscillateur, un circuit amplificateur, un circuit onduleur, un circuit amplificateur, un circuit de commande de batterie, un circuit de protection de batterie, un dispositif de stockage électrique, un dispositif semi-conducteur, un équipement électrique et similaires. Ce dispositif semi-conducteur comprend un premier transistor comprenant un oxyde métallique et un oscillateur comprenant des deuxième à cinquième transistors, le premier transistor étant mis à l'état MARCHE, un premier potentiel est appliqué à la grille du deuxième transistor et à la grille du troisième transistor, puis le premier transistor est mis à l'état ARRÊT, le premier potentiel est retenu, l'oscillateur fournit à un premier circuit un premier signal correspondant au premier potentiel, et le premier circuit effectue un remodelage et/ou une amplification du premier signal. Le deuxième transistor et le quatrième transistor sont connectés en série l'un à l'autre, le troisième transistor et le cinquième transistor sont connectés en série l'un à l'autre, la source ou le drain du troisième transistor est électriquement connecté à la grille du quatrième transistor, et la source ou le drain du quatrième transistor est électriquement connecté à la grille du troisième transistor.
(JA)
新規な発振器、増幅回路、インバータ回路、増幅回路、電池制御回路、電池保護回路、蓄電装置、 半導体装置及び電気機器等を提供する。 金属酸化物を有する第1トランジスタ及び第2乃至第5トランジスタを有する発振器を有し、第1 トランジスタをオン状態とし、第2トランジスタのゲートおよび第3トランジスタのゲートに第1 の電位を与え、第1トランジスタをオフ状態とし、第1の電位を保持し、発振器は第1の電位に応 じた第1の信号を第1の回路に与え、第1の回路は第1の信号を整形および増幅の少なくとも一を 行う半導体装置。第2トランジスタと第4トランジスタは直列に接続し、第3トランジスタと第5 トランジスタは直列に接続し、第3トランジスタのソースまたはドレインが第4トランジスタのゲ ートに、第4トランジスタのソースまたはドレインが第3トランジスタのゲートに、それぞれ電気 的に接続される。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau