Provided are novel oscillator, amplifier circuit, inverter circuit, amplifier circuit, battery control circuit, battery protection circuit, electrical storage device, semiconductor device, electrical equipment, and the like. This semiconductor device has a first transistor including a metal oxide and an oscillator including second to fifth transistors, wherein the first transistor is turned to an ON state, a first potential is applied to the gate of the second transistor and to the gate of the third transistor, then the first transistor is turned to an OFF state, the first potential is retained, the oscillator provides to a first circuit a first signal corresponding to the first potential, and the first circuit performs reshaping and/or amplification of the first signal. The second transistor and the fourth transistor are serially connected to each other, the third transistor and the fifth transistor are serially connected to each other, the source or the drain of the third transistor is electrically connected to the gate of the fourth transistor, and the source or the drain of the fourth transistor is electrically connected to the gate of the third transistor.

L'invention concerne un nouvel oscillateur, un circuit amplificateur, un circuit onduleur, un circuit amplificateur, un circuit de commande de batterie, un circuit de protection de batterie, un dispositif de stockage électrique, un dispositif semi-conducteur, un équipement électrique et similaires. Ce dispositif semi-conducteur comprend un premier transistor comprenant un oxyde métallique et un oscillateur comprenant des deuxième à cinquième transistors, le premier transistor étant mis à l'état MARCHE, un premier potentiel est appliqué à la grille du deuxième transistor et à la grille du troisième transistor, puis le premier transistor est mis à l'état ARRÊT, le premier potentiel est retenu, l'oscillateur fournit à un premier circuit un premier signal correspondant au premier potentiel, et le premier circuit effectue un remodelage et/ou une amplification du premier signal. Le deuxième transistor et le quatrième transistor sont connectés en série l'un à l'autre, le troisième transistor et le cinquième transistor sont connectés en série l'un à l'autre, la source ou le drain du troisième transistor est électriquement connecté à la grille du quatrième transistor, et la source ou le drain du quatrième transistor est électriquement connecté à la grille du troisième transistor.

新規な発振器、増幅回路、インバータ回路、増幅回路、電池制御回路、電池保護回路、蓄電装置、 半導体装置及び電気機器等を提供する。 金属酸化物を有する第１トランジスタ及び第２乃至第５トランジスタを有する発振器を有し、第１ トランジスタをオン状態とし、第２トランジスタのゲートおよび第３トランジスタのゲートに第１ の電位を与え、第１トランジスタをオフ状態とし、第１の電位を保持し、発振器は第１の電位に応 じた第１の信号を第１の回路に与え、第１の回路は第１の信号を整形および増幅の少なくとも一を 行う半導体装置。第２トランジスタと第４トランジスタは直列に接続し、第３トランジスタと第５ トランジスタは直列に接続し、第３トランジスタのソースまたはドレインが第４トランジスタのゲ ートに、第４トランジスタのソースまたはドレインが第３トランジスタのゲートに、それぞれ電気 的に接続される。