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1. WO2020177466 - CHIP, SIGNAL SHIFT CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE

Publication Number WO/2020/177466
Publication Date 10.09.2020
International Application No. PCT/CN2019/129783
International Filing Date 30.12.2019
IPC
H03K 19/0175 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
CPC
Y02B 70/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
70Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 蒋其梦 JIANG, Qimeng
  • 彭兴强 PENG, Xingqiang
  • 孙程豪 SUN, Chenghao
Agents
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
201910172026.707.03.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) CHIP, SIGNAL SHIFT CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PUCE, CIRCUIT DE DÉCALAGE DE SIGNAL ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 一种芯片、信号位移电路及电子设备
Abstract
(EN)
Disclosed in the present application are a chip and a signal shift circuit, used in a mobile terminal such as a charger or adapter, the chip being packaged with a first silicon-based driver die and a second silicon-based driver die manufactured using silicon-based technology, and a first gallium nitride die and a second gallium nitride die manufactured using gallium nitride technology, the first silicon-based driver die being connected to two output terminals of a controller, the first silicon-based driver die having assembled thereon a first silicon-based circuit, the second silicon-based driver die having assembled thereon a second silicon-based circuit, the first gallium nitride die having assembled thereon a gallium nitride circuit, the gallium nitride circuit having high voltage resistance, and the first silicon-based circuit receiving a pulse signal HI output by the controller and transferring HI to the gallium nitride circuit; the gallium nitride circuit sharing an input voltage VB of the second silicon-based circuit, and transferring HI to the second silicon-based circuit. In this way it is possible to ensure that a low-voltage second silicon-based driver die manufactured using low-voltage silicon-based technology is not damaged by high input voltage, thereby lowering chip costs.
(FR)
La présente invention concerne une puce et un circuit de décalage de signal, utilisés dans un terminal mobile tel qu'un chargeur ou un adaptateur, la puce étant conditionnée avec une première puce de commande à base de silicium et une seconde puce de commande à base de silicium fabriquées à l'aide d'une technologie à base de silicium, et une première puce de nitrure de gallium et une seconde puce de nitrure de gallium fabriquées à l'aide d'une technologie de nitrure de gallium, la première puce de commande à base de silicium étant connectée à deux bornes de sortie d'un dispositif de commande, un premier circuit à base de silicium étant assemblé sur la première puce de commande à base de silicium, un second circuit à base de silicium étant assemblé sur la seconde puce de commande à base de silicium, un circuit de nitrure de gallium étant assemblé sur la première puce de nitrure de gallium, le circuit de nitrure de gallium ayant une résistance à la tension élevée, et le premier circuit à base de silicium recevant un signal d'impulsion HI délivré par le dispositif de commande et transférant le HI au circuit de nitrure de gallium ; le circuit de nitrure de gallium partageant une tension d'entrée VB du second circuit à base de silicium, et transférant HI au second circuit à base de silicium. De cette manière, il est possible d'assurer qu'une seconde puce de commande à base de silicium à basse tension fabriquée à l'aide d'une technologie à base de silicium à basse tension n'est pas endommagée par une tension d'entrée élevée, ce qui permet d'abaisser les coûts de la puce.
(ZH)
本申请公开了一种芯片及信号位移电路,应用于充电器或适配器等移动终端上,该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片,以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片,第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接,第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路,第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路,第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路,氮化镓电路耐高压,第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI,并将HI传递到氮化镓电路;氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB,并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏,从而降低了芯片的成本。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau