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1. WO2020129371 - METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE DIAMOND FREE STANDING SUBSTRATE

Publication Number WO/2020/129371
Publication Date 25.06.2020
International Application No. PCT/JP2019/040040
International Filing Date 10.10.2019
IPC
C30B 29/04 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
04Diamond
Applicants
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 古賀 祥泰 KOGA Yoshihiro
Agents
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
Priority Data
2018-23766519.12.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE DIAMOND FREE STANDING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTOPORTEUR EN DIAMANT POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
Abstract
(EN)
Provided is a method for manufacturing a polycrystalline diamond free standing substrate with which it is possible to manufacture a polycrystalline diamond free standing substrate in which high quality compound semiconductor layers are stacked. A solution containing diamond particles is applied to a compound semiconductor substrate 10 and thereafter the compound semiconductor substrate 10 is subjected to thermal treatment to adhere the diamond particles 14 to the compound semiconductor substrate 10. A polycrystalline diamond layer 16 having a thickness of 100 μm or more is grown on the compound semiconductor substrate 10 by chemical vapor deposition with the diamond particles 14 as a nucleus. The compound semiconductor substrate 10 is then reduced in thickness to form a compound semiconductor layer 18. A polycrystalline diamond free standing substrate 100 in which the polycrystalline diamond layer 16 functions as a support substrate of the compound semiconductor layer 18 is obtained through these processes.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat autoporteur en diamant polycristallin avec lequel il est possible de fabriquer un substrat autoporteur en diamant polycristallin dans lequel des couches semi-conductrices composites de haute qualité sont empilées. Une solution contenant des particules de diamant est appliquée sur un substrat semi-conducteur composite 10, puis le substrat semi-conducteur composite 10 est soumis à un traitement thermique pour faire adhérer les particules de diamant 14 au substrat semi-conducteur composite 10. Une couche de diamant polycristallin 16 ayant une épaisseur de 100 µm ou plus est développée sur le substrat semi-conducteur composite 10 par dépôt chimique en phase vapeur avec les particules de diamant 14 en tant que noyau. Le substrat semi-conducteur composite 10 est ensuite réduit en épaisseur pour former une couche semi-conductrice composite 18. Un substrat autoporteur en diamant polycristallin 100 dans lequel la couche de diamant polycristallin 16 fonctionne en tant que substrat de support de la couche semi-conductrice composite 18 est obtenu par ces procédés.
(JA)
高品質な化合物半導体層が積層された多結晶ダイヤモンド自立基板を製造することが可能な、多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法を提供する。ダイヤモンド粒子を含有する溶液を化合物半導体基板10上に塗布し、その後、化合物半導体基板10に熱処理を施すことによって、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子14を付着させる。ダイヤモンド粒子14を核として、化学気相成長法により、化合物半導体基板10上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層16を成長させる。その後、化合物半導体基板10を減厚して、化合物半導体層18とする。これらの工程を経て、多結晶ダイヤモンド層16が化合物半導体層18の支持基板として機能する多結晶ダイヤモンド自立基板100を得る。
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