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1. WO2019229770 - METHOD FOR FABRICATING NEURON OSCILLATOR INCLUDING THERMAL INSULATING DEVICE

Publication Number WO/2019/229770
Publication Date 05.12.2019
International Application No. PCT/IN2019/050416
International Filing Date 28.05.2019
IPC
G06N 3/063 2006.01
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
063using electronic means
G06N 3/02 2006.01
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
CPC
A61N 1/02
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
NELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
1Electrotherapy; Circuits therefor
02Details
Applicants
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY [IN]/[IN]
Inventors
  • GANGADHARRAO, Lashkare Sandip
  • SARASWAT, Vivek
  • SUBHASH, Kumbhare Pankaj
  • GANGULY, Udayan
Agents
  • NARASANI, Arun Kishore
Priority Data
20182101989628.05.2018IN
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR FABRICATING NEURON OSCILLATOR INCLUDING THERMAL INSULATING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN OSCILLATEUR NEURONAL COMPRENANT UN DISPOSITIF D'ISOLATION THERMIQUE
Abstract
(EN)
Accordingly the embodiments herein provide a method for fabricating a neuron oscillator. The neuron oscillator includes a thermal insulating device connected with a resistor and a capacitor in series to produce self-sustained oscillations, where the resistor and the capacitor are arranged in parallel manner. The neuron oscillator eliminates a requirement of an additional compensation circuitry for a consistent performance over a time under heating issues. Additionally, an ON/OFF ratio of the neuron oscillator improves to a broader resistor range. Further, a presence of tunable synaptic memristor functionality of the neuron oscillator provides a reduced fabrication complexity to a large scale ONN. An input voltage required for the neuron oscillator is low (2-3 V) which makes it suitable to use with existing circuitries without using any additional converters. Additionally, an amplitude of the oscillations is a significant fraction of an applied bias which eliminates a need for an amplification.
(FR)
Procédé de fabrication d'un oscillateur neuronal comprenant un dispositif d'isolation thermique. En conséquence, les modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé de fabrication d'un oscillateur neuronal. L'oscillateur neuronal comprend un dispositif d'isolation thermique relié en série à une résistance et à un condensateur pour produire des oscillations auto-entretenues, la résistance et le condensateur étant agencés en parallèle. Cet oscillateur neuronal permet de ne pas avoir besoin d'un circuit de compensation supplémentaire permettant d'obtenir des performances homogènes pendant un certain temps en cas de problèmes d'échauffement. De plus, le rapport marche/arrêt de l'oscillateur neuronal s'améliore pour atteindre une plage de résistance plus large. En outre, la présence d'une fonctionnalité de memristance synaptique réglable de l'oscillateur neuronal facilite la fabrication à grande échelle. La tension d'entrée requise pour l'oscillateur neuronal est faible (2-3 V), ce qui le rend apte à être utilisé avec des circuits existants sans utiliser de convertisseurs supplémentaires. De plus, l'amplitude des oscillations représente une fraction significative d'une tension appliquée, ce qui évite d'avoir besoin d'une amplification.
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